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    產(chǎn)品中心

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    電子束光刻系統(tǒng)

    簡(jiǎn)要描述:v最小線寬≤8nm光柵周期≤40nmv拼接精度:100μm寫場(chǎng)下

    基礎(chǔ)信息

    產(chǎn)品型號(hào)

    廠商性質(zhì)

    代理商

    更新時(shí)間

    2024-10-22

    瀏覽次數(shù)

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    詳細(xì)介紹

    v 最小線寬8nm    光柵周期40nm

    v 拼接精度:

    100μm寫場(chǎng)下,拼接精度≤20nmmean+3sigma

    500μm寫場(chǎng)下,拼接精度≤30nmmean+3sigma

    v 套刻精度:

    100μm寫場(chǎng)下,拼接精度≤20nmmean+3sigma

    500μm寫場(chǎng)下,拼接精度≤25nmmean+3sigma

    v 束電流穩(wěn)定性<0.2%/h   束位置穩(wěn)定性<120nm/8h

    v 50KV加速電壓下,寫場(chǎng)可在0.5μm~500μm的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)

    v 肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子束源,加速電壓50kv,束電流范圍至少為50pA~40nA,束電流40nA

    v 圖像發(fā)生器掃描頻率50MHz,20bit分辨率,最小步距為0.5nm

    v 通用樣品架可承載散片,4inch以下的襯底,4inch專用晶圓專用樣品架,6inch專用晶圓專用樣品架,多樣品專用樣品架


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